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近日,博世(BOSCH)官方宣布,其德累斯顿晶圆厂首批硅晶圆从全自动化生产线下线,为其2021年下半年正式启动生产运营奠定基础,该晶圆厂投入运营后,主攻车用芯片制造。 据ic交易网亿配芯城了解,目前博世在斯图加特附近的罗伊特林根已有一家半导体工厂,德累斯顿晶圆厂将致力于满足半导体应用领域不断激增的市场需求。博世在德累斯顿晶圆厂投资了约10亿欧元(约合人民币77.35亿元),目标将其建设为全球最先进的晶圆厂之一。 此外,德累斯顿晶圆厂新大楼建造还获得了德国联邦政府内部联邦经济与能源部的资金补贴。
据1月28日消息,华润微电子深圳12英寸集成电路生产线建设项目于去年10月开工。华润微电子有限公司总裁李虹表示,该项目预计将于2024年底投产。全面投产后,将形成年产480,000片12英寸功率芯片的能力。 李虹介绍,公司位于深圳的12英寸特色工艺集成电路生产线一期总投资超过220亿元。以电机驱动、模数转换、MCU微控制器件和光电一体化产品为重点,重点支持新能源汽车芯片、光伏储能、物联网、传感器等新兴领域,助力广东实现集成电路发展的区域集聚。 华润微电子:深圳12英寸集成电路生产线项目预计将于
1月31日消息,据中国台湾媒体《经济日报》报道,大型晶圆代工企业联电斥资48.58亿元收购与大陆股东共同建设的厦门联芯12英寸晶圆工厂100%股权计划。业内人士判断,联电应该受到中美半导体战争的影响。为了继续控制现有晶圆代工厂的产能,为持有股份不愿放弃厦门联芯的股权。此举将影响联电的内部管理和在内地的布局。 联华电子(联电) 对此,联电昨日(30日)承认,目前回购全部联芯股份的进展确实未能按既定计划进行,并强调,如果这起案件受阻,将成为台商在大陆投资权益得不到保障的重大案件,害怕引发多米诺骨牌
8月28日消息,近日江苏淮安市淮阴区人民法院正式受理了江苏时代芯存半导体有限公司的破产清算案,并对该公司一台价值1.43亿元的ASML光刻机进行公开拍卖。江苏时代芯存半导体总计划投资130亿人民币、立志打造年产10万片相变存储器的12英寸半导体晶圆厂如今已正式进入破产清算程序。 时代芯存采购二手ASML光刻机(型号:1950Hi)约人民币2亿元,2023年7月,江苏淮安市淮阴区人民法院正式受理了江苏时代芯存半导体有限公司的破产清算案,并对该公司一台价值1.43亿元的ASML光刻机进行公开拍卖。
10月12日消息,据新华社报道,安徽省召开2023年全省第四批重大项目开工动员会。本次共有1089个项目集中开工动员,总投资达7074.6亿元。其中,制造业项目共670个,总投资4152.8亿元。新开工50亿元以上制造业项目有22个,包括总投资210亿元的合肥晶合集成电路12英寸晶圆制造项目。 据了解,晶合集成坐落于合肥新站综合保税区,主要从事12英寸晶圆代工业务,是安徽首家12英寸晶圆代工企业,也是合肥首个百亿级以上的集成电路项目。根据Trendforce统计,晶合集成位于全球晶圆代工厂营收
安徽熙泰智能科技有限公司(简称熙泰科技)近日与四川天府新区眉山管理委员会签订了一项重要的投资协议,这标志着熙泰科技在硅基OLED技术领域的又一重大进展。根据协议,熙泰科技将在四川天府新区眉山管理委员会的支持下,投资建设12英寸Micro OLED模组生产线。 熙泰科技表示,这一轮投资将为公司带来更多的发展机遇。通过加大研发投入,提升产品创新能力,扩大产能,熙泰科技将进一步巩固在硅基OLED领域的领先地位。同时,这一投资也将加速熙泰科技在扩展现实(XR)行业的市场拓展,提升品牌影响力,吸引更多优
12月22日上午,国内CMOS图像传感器龙头企业格科微举办20周年庆典暨临港工厂投产仪式。格科微临港工厂一期总投资达155亿元,规划产能2万片。 格科微董事长兼首席执行官赵立新表示,当前公司正迎来成立20年来的最佳经营局面,Fabless向Fab-lite转型的战略目标已成功实现。未来,格科微将以此为基,努力实现新战略,暨紧扣客户需求,推动核心技术产品化,跨越30亿美元收入台阶。 该项目于2020年3月签约,同年11月正式开工,2021年8月厂房主结构封顶,2022年9月投片成功,2023年2
北方华创最近研发出了一款12英寸高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备,名为Orion Proxima,并已正式进入客户端验证阶段。这一创新标志着北方华创在绝缘介质填充工艺技术上取得了重大突破,同时也为该公司进军12英寸介质薄膜设备领域,打开百亿级市场铺平了道路。 随着集成电路领域的飞速发展,芯片制造工艺面临着越来越大的挑战。其中,如何使用绝缘介质在各薄膜层之间进行均匀且无孔的填充,以提供有效的隔离保护,已成为亟待解决的问题。为了满足这一需求,HDPCVD设备已成为介质薄膜沉积工艺的关
硅基光电集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低时延的优势;无需过分追求工艺尺寸的缩小。硅光产业今年市场规模将突破28亿美元,未来可达数百亿美元。 近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)应用于探测器,L波段探测率超过商用锗探测器2-3倍。 12英寸平台的GeSn LED器件方面,实现高质量CVD外延法6英寸GeSn生长突破,实现直接带隙GeSn薄膜;与美国应用材料公司合作,实现12英寸硅衬底Ge/GeSn MQW单晶薄膜生长。8英寸 GeOI平台的GeSn垂直腔面光源器件方面,设计并制备了绝
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