对数据存储和处理(汽车应用)的需求越来越大。多年来，人们一直在寻找一种结合了DRAM和NAND闪存优点的通用存储器，这种存储器成本低、性能可靠、用途广泛，有可能取代它们，满足带宽不断增长的需求并降低功耗。在查看内存层次结构时(图1.3.6)，并不缺少新的内存、材料和体系结构，这些新内存、材料和体系结构正在考虑取代内存层次结构中的各个层次。虽然相变存储器(PCRAM或PCM)、电阻存储器(RRAM)、铁电场效应晶体管(FeFETs)和各种磁性存储器(MRAM)是过去几年研发的热点，但目前SRAM

随着5G、云计算、大数据、人工智能等新型信息技术的迭代升级和普及应用，全社会数据流量和算力需求迎来爆发式增长。同时，传统电芯片性能的进一步提升面临摩尔定律演进失效的问题，算力供需矛盾日渐突显。光芯片以光为信息载体，是与电芯片平行发展的器件集成体系。光芯片通过对光的处理和测量实现信息感知、传输、存储、计算、显示等功能，因其具有速度快、稳定性高、工艺精度要求低和可多维度复用等优势，有望打破电芯片的发展禁锢，为芯片发展带来新的契机。 光芯片技术多体系并存趋于多维融合区别于电芯片相对单一的材料体系，光