仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
2024-08-03IGBT混搭SiC SBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势：● 没有Si二极管的反向恢复损耗Erec● 降低30%以上IGBT的开通损耗Eon因此，在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiC SBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。特别提醒仿真无法替代实验，仅供参考。选取仿真研究对象IGBT：650V/50A/S5、TO247-4pi