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作为摩尔定律最忠实的追随者与推动者,台积电、三星早已挑起3nm的战局。据悉,三星业经成就了首个3nm制程的开支,计划2022年圈圈生产3nm芯片,在先台积电也计划2022年量产3nm。如无意外,3nm芯片将在后年来临,对半导体产业链提出新的挑战。 双雄剑指3nm 《韩国一石多鸟》笔谈称,三星已成功研发出首个根据GAAFET的3nm制程,预测2022年张开量产。与7nm工艺相比,3nm工艺可将骨干面积减去45%,功耗下挫50%,性能提升35%。 遵照三星的研发路线图,在6nm LPP事后,再有5
据华尔街日报报导,美中国在周三具名首先阶段的协商。据报道,这笔贸易概括中原在鹏程两年内购置一二价值的美国货品和服务,以及美国戛然而止计划对神州商品加征关税。其一进展让市场在礼拜三反弹,道琼斯工业平均指数,标准普尔500指数和纳斯达克指数同一天都创下了新高。 但芯片同行业是一个明显的不等。 华尔街日报指出,直到收盘,费城半导体指数跌落超常1%,几乎负有30家店家指数的股票都远在亏损状态。人人从这次进展中也再行被提拔:招术,越加是半导体技术,仍然是两国之间最有争执的题材的关子。并且,在经验了相近创
1947年12月,美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿血肉相联的研讨小组,研制出一种点接触型的锗晶体管,这是世上第一个半导体器件。在半导体上进的70多年历史中,炎黄人依赖性才分,表述了重要的作用。 一、萨支唐:CMOS技能 萨支唐(Chih-Tang Sah),1932年11月10日生于北京;绵长致力于半导体器件和微电子学切磋,对向上晶体管、集成电路以及可靠性钻研作出了里程碑机械性能的贡献。老爹萨本栋是先是届中央研究院院士、国营厦门大学率先任校长。 1949年萨支唐从福州英华中学结业,赴美国就
举世知名的集成电路分析机构ICinsights的最新多寡指出,IC商海滋长与环球GDP增长之间相关性越来越一环扣一环。如图1所示,再者,IC Insights还谈到了到2024年的预测。以资她们解析,在鹏程几年,以此相关性会更为提升。 图1如上图所示,在2010-2019年的岁时范围内,天下GDP增强与IC商海滋长期间的相关系数为0.85(不包罗2017年和2018年的存储器市场,为0.96),因为咱俩若果出于完美的正相关为1.0,因故这一数目字很高。而在此一代有言在先的三十年中,相关系数的画
如果您一直关注有关内存技术的新闻,则可能听说过几种可使RAM和SSD 更快,更密集和更节能的技术。那里还有大量研究集中在寻找一种进行“ 内存内计算 ”的方法,这是从根本上消除了数据在处理器,内存和设备的非易失性存储之间往返的带来的瓶颈。 而所有这些都源于以下事实:将数据写入DRAM既快速又节能,但是一旦断电,数据的完整性也会随之下降。然后,您必须不断刷新该数据,那就造成效率不是很高。另一方面,NAND是一种相对可靠的数据存储方式,但是写入和擦除操作速度很慢,会使单元性能下降,使其无法用作工作内
据台湾工商时报穿针引线,电源管住IC厂矽力杰在中原陆地厂商积极性去鼓吹拉动下,业经切入病故碍事打入的面板厂供应链,添加在消费性顶替德州仪器(TI)等美系大厂,以及5G驻地台出货缓缓地放量拉动下。法人着眼于,矽力于2020年将有火候求战赚回三个血本的实力。 报导指出,大洲供销社为幸免出品供货倍受美国禁令震慑,目前久已从头把作古较少采取或从未有过应用的陆厂、台厂晶片及零组件纳入纳入供应链,矽力杰亏得受贿厂商某个,且由于有点儿成品技术实力不望尘莫及列国IDM大厂,之所以在本次去吹嘘高中级纳贿极大。
今朝,台积电公布于众2019年第4季财务报告,统一营收约3,172.4亿元新台币,税后纯益1,160.4亿4,000万元,每股创汇(EPS)为4.47元(折合美国存托信物每单位为0.73美元)。 与2018年同期相较,2019年第4季营收加码9.5%,税后纯益及每股创汇则均增多16.1%。 与前一季相较,2019年第4季营收加进8.3%,税后纯益则日增14.8%。之上财务数目字皆为合并财务报表数字,且系遵照金管会认同之万国财务报导章法(TIFRS)所编撰。 若以美金汇算,2019年第4季营收为
看成最有前景的第三代半导体资料之一,SiC组件富有很好的习性和动用。手上,碳化硅商海仍是小众商海,真正的玩家也不多,ST和罗姆是其中最出色的两家之一。多年来,罗姆子公司SiCrystal和意法半导体颁发签署碳化硅晶圆天长地久供应协议,ST的产能将取得很大的有增无减。协议确定,SiCrystal将向意法半导体提供总价超常1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片,满足目前市场对碳化硅功率零部件丰富的需求。 据意法半导体总裁兼首座执行官Jean-Marc Chery代表,该SiC衬底一劳永逸支应协议
Sanken三垦2SD2561元器件是一款TRANS NPN DARL 150V 17A MT-200的NPN晶体管。这款晶体管在电路中常被用作放大器,开关,继电器,稳压器等。其具有高耐压,大电流的特点,适用于需要大功率输出的应用场景。 技术特点: * 高耐压:150V的电压规格为电路设计提供了更大的自由度,可以应对更高电压的输入和输出。 * 大电流:17A的电流规格使得该晶体管在需要大电流驱动的场合具有出色的性能。 * 稳定性高:DARL技术保证了晶体管的稳定工作,减少了电路故障的可能性。
标题:电子元器件:UC3845BD1R2G芯片的参数PDF资料介绍 UC3845BD1R2G是一款广泛使用的电子元器件,广泛应用于各种电子设备中。下面我们将详细介绍这款芯片的参数PDF资料,帮助您更好地了解其性能和应用。 一、概述 UC3845BD1R2G是一款高性能的固定频率电流控制IC,通常用于升压转换器中。它具有高效率、低噪声、低成本等优点,因此在许多领域得到了广泛应用。 二、主要参数 1. 输入电压范围:该芯片的输入电压范围广泛,可在3V至40V之间变化。这意味着它可以适应各种电源系统