中国电子元器件网：3nm渐行渐近，先进制程如何延续？
2024-07-03作为摩尔定律最忠实的追随者与推动者，台积电、三星早已挑起3nm的战局。据悉，三星业经成就了首个3nm制程的开支，计划2022年圈圈生产3nm芯片，在先台积电也计划2022年量产3nm。如无意外，3nm芯片将在后年来临，对半导体产业链提出新的挑战。 双雄剑指3nm 《韩国一石多鸟》笔谈称，三星已成功研发出首个根据GAAFET的3nm制程，预测2022年张开量产。与7nm工艺相比，3nm工艺可将骨干面积减去45%，功耗下挫50%，性能提升35%。 遵照三星的研发路线图，在6nm LPP事后，再有5
中国电子元器件网：芯片产业仍然面临大挑战
2024-07-03据华尔街日报报导，美中国在周三具名首先阶段的协商。据报道，这笔贸易概括中原在鹏程两年内购置一二价值的美国货品和服务，以及美国戛然而止计划对神州商品加征关税。其一进展让市场在礼拜三反弹，道琼斯工业平均指数，标准普尔500指数和纳斯达克指数同一天都创下了新高。 但芯片同行业是一个明显的不等。 华尔街日报指出，直到收盘，费城半导体指数跌落超常1％，几乎负有30家店家指数的股票都远在亏损状态。人人从这次进展中也再行被提拔：招术，越加是半导体技术，仍然是两国之间最有争执的题材的关子。并且，在经验了相近创
中国电子元器件网：影响半导体发展进程的六个华人
2024-07-031947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿血肉相联的研讨小组，研制出一种点接触型的锗晶体管，这是世上第一个半导体器件。在半导体上进的70多年历史中，炎黄人依赖性才分，表述了重要的作用。 一、萨支唐：CMOS技能 萨支唐（Chih-Tang Sah），1932年11月10日生于北京；绵长致力于半导体器件和微电子学切磋，对向上晶体管、集成电路以及可靠性钻研作出了里程碑机械性能的贡献。老爹萨本栋是先是届中央研究院院士、国营厦门大学率先任校长。 1949年萨支唐从福州英华中学结业，赴美国就
中国电子元器件网：全球IC增长与GDP关系愈发密切
2024-07-03举世知名的集成电路分析机构ICinsights的最新多寡指出，IC商海滋长与环球GDP增长之间相关性越来越一环扣一环。如图1所示，再者，IC Insights还谈到了到2024年的预测。以资她们解析，在鹏程几年，以此相关性会更为提升。 图1如上图所示，在2010-2019年的岁时范围内，天下GDP增强与IC商海滋长期间的相关系数为0.85（不包罗2017年和2018年的存储器市场，为0.96），因为咱俩若果出于完美的正相关为1.0，因故这一数目字很高。而在此一代有言在先的三十年中，相关系数的画
中国电子元器件网：一种旨在替代DRAM和 NAND的新型存储
2024-07-03如果您一直关注有关内存技术的新闻，则可能听说过几种可使RAM和SSD 更快，更密集和更节能的技术。那里还有大量研究集中在寻找一种进行“ 内存内计算 ”的方法，这是从根本上消除了数据在处理器，内存和设备的非易失性存储之间往返的带来的瓶颈。 而所有这些都源于以下事实：将数据写入DRAM既快速又节能，但是一旦断电，数据的完整性也会随之下降。然后，您必须不断刷新该数据，那就造成效率不是很高。另一方面，NAND是一种相对可靠的数据存储方式，但是写入和擦除操作速度很慢，会使单元性能下降，使其无法用作工作内
中国电子元器件网：受惠于去美化，矽力杰业绩一路狂飙
2024-07-03据台湾工商时报穿针引线，电源管住IC厂矽力杰在中原陆地厂商积极性去鼓吹拉动下，业经切入病故碍事打入的面板厂供应链，添加在消费性顶替德州仪器（TI）等美系大厂，以及5G驻地台出货缓缓地放量拉动下。法人着眼于，矽力于2020年将有火候求战赚回三个血本的实力。 报导指出，大洲供销社为幸免出品供货倍受美国禁令震慑，目前久已从头把作古较少采取或从未有过应用的陆厂、台厂晶片及零组件纳入纳入供应链，矽力杰亏得受贿厂商某个，且由于有点儿成品技术实力不望尘莫及列国IDM大厂，之所以在本次去吹嘘高中级纳贿极大。
中国电子元器件网：台积电资本支出创历史新高
2024-07-03今朝，台积电公布于众2019年第4季财务报告，统一营收约3,172.4亿元新台币，税后纯益1,160.4亿4,000万元，每股创汇（EPS）为4.47元（折合美国存托信物每单位为0.73美元）。 与2018年同期相较，2019年第4季营收加码9.5%，税后纯益及每股创汇则均增多16.1%。 与前一季相较，2019年第4季营收加进8.3%，税后纯益则日增14.8%。之上财务数目字皆为合并财务报表数字，且系遵照金管会认同之万国财务报导章法（TIFRS）所编撰。 若以美金汇算，2019年第4季营收为
中国电子元器件网：ST与罗姆子公司签署供货协议，硅碳产能持续释放
2024-07-03看成最有前景的第三代半导体资料之一，SiC组件富有很好的习性和动用。手上，碳化硅商海仍是小众商海，真正的玩家也不多，ST和罗姆是其中最出色的两家之一。多年来，罗姆子公司SiCrystal和意法半导体颁发签署碳化硅晶圆天长地久供应协议，ST的产能将取得很大的有增无减。协议确定，SiCrystal将向意法半导体提供总价超常1．2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片，满足目前市场对碳化硅功率零部件丰富的需求。 据意法半导体总裁兼首座执行官Jean－Marc Chery代表，该SiC衬底一劳永逸支应协议
Sanken三垦2SD2561元器件是一款TRANS NPN DARL 150V 17A MT-200的NPN晶体管。这款晶体管在电路中常被用作放大器，开关，继电器，稳压器等。其具有高耐压，大电流的特点，适用于需要大功率输出的应用场景。 技术特点： * 高耐压：150V的电压规格为电路设计提供了更大的自由度，可以应对更高电压的输入和输出。 * 大电流：17A的电流规格使得该晶体管在需要大电流驱动的场合具有出色的性能。 * 稳定性高：DARL技术保证了晶体管的稳定工作，减少了电路故障的可能性。
关于电子元器件 UC3845BD1R2G 这颗芯片的参数PDF资料介绍
2024-07-02标题：电子元器件：UC3845BD1R2G芯片的参数PDF资料介绍 UC3845BD1R2G是一款广泛使用的电子元器件，广泛应用于各种电子设备中。下面我们将详细介绍这款芯片的参数PDF资料，帮助您更好地了解其性能和应用。 一、概述 UC3845BD1R2G是一款高性能的固定频率电流控制IC，通常用于升压转换器中。它具有高效率、低噪声、低成本等优点，因此在许多领域得到了广泛应用。 二、主要参数 1. 输入电压范围：该芯片的输入电压范围广泛，可在3V至40V之间变化。这意味着它可以适应各种电源系统