芯片资讯
你的位置:RUNIC(润石)线性稳压器(LDO)转换器/电平移位器IC芯片全系列-亿配芯城 > 芯片资讯 > 中国电子元器件网:3nm竞争到达白热化
中国电子元器件网:3nm竞争到达白热化
- 发布日期:2024-07-04 06:42 点击次数:62 台积电在7纳米、5纳米制程完封三星后,目前加快3纳米研发,以延续领先地位,不过,对手三星也积极抢进,据韩媒Business Korea报导,三星已经成功开发业界第一个3纳米芯片制程,此项成就有望加速三星实现2030年的半导体愿景计划。 三星电子副董事长李在镕透露已成功研发第一个3纳米微制造技术的消息,与三星近期的5纳米制程产品相比,3纳米制程的芯尺寸缩小35%,功耗降低50%,但性能却提高30%,RUNIC(润石)线性稳压器(LDO)转换器/电平移位器IC芯片 三星计划在2022年开始利用3纳米制程大规模生产芯片。

相关资讯
- RUNIC(润石)RS8751XF芯片SOT23-5的技术和方案应用介绍2025-03-12
- RUNIC(润石)RS8702XM芯片MSOP-8的技术和方案应用介绍2025-03-11
- RUNIC(润石)RS8652XM芯片MSOP8的技术和方案应用介绍2025-03-07
- RUNIC(润石)RS8562XM芯片MSOP-8的技术和方案应用介绍2025-03-05
- RUNIC(润石)RS8559XQ芯片TSSOP14的技术和方案应用介绍2025-03-03
- RUNIC(润石)RS8558XM芯片MSOP8的技术和方案应用介绍2025-03-02